硅碳化物链新的新兴趋势

资料来源：官方上海证券新闻微信，A股份股份碳化物领域，由提升趋势的领导，Tianyue Advanced，Tianfu Energy和Jingsheng的概念行动大大增加。例如，在9月5日至12日的市场结束之间，天木股的价格上涨了40％以上。在新闻的前面，一些媒体报道说，TSMC正在发布“英雄出版物”，以加入复合半导体的设备和制造商，并将将单晶碳化硅（SIC）应用于热量耗散载体板12英寸的单晶硅（SIC），以取代传统的氧化铝，sapphire sapphire substrates或密封的厚度密封的厚度。同时，据报道，NVIDIA还计划将??碳化硅底物用作Intecoser材料，用于新一代GPU芯片中的高级包装链接。为什么是硬皮菌？随着人工智能技术的发展，GPU芯片和其他产品的性能R AI服务器继续改善，芯片功率继续增加。同时，为了减小芯片的尺寸和面积，高级包装选择以高密度（例如Cowos方法）堆叠多个芯片，从而导致芯片包装中的热耗散问题增加。传统陶瓷底物的热导率约为200-230 W/MK，这使得很难满足增加的热耗散需求。碳化硅材料具有极好的导热率。公共信息显示，碳化硅在钻石之后具有第二次手动导热率，达到400W/MK甚至500W/MK，几乎是陶瓷底物的两倍，并且是数据中心的足够包装材料，IA的高载体芯片。一方面，在插之间的插入器领域中，是Cowos包装平台的中心组成部分之一，现在主要由硅材料制成。但是，作为力量GPU芯片不断增加，通过将许多芯片整合到硅界面层中，产生的热性能需求接近硅材料的极限。使用SIC Inteper具有改善的热导率，这将优化包装的整体尺寸，因为预计它将显着降低散热器的大小。另一方面，就热耗散载体板而言，主陶瓷材料的当前热导率小于单玻璃碳化物硅的导热率，因此，当将碳化硅用作热耗散载体板时，预计它可以显着提高热量耗散的效率，从而为热量分解问题提供了强大的支持。 8英寸碳化物硅晶片的质量生产迅速导致碳化硅底物的价格迅速下降，这提高了包装材料的可靠性。最近，A共享的新进步Ndustry Chain，Wolfspeed是硅碳化物（SIC）技术的世界领导者，宣布将推出200毫米毫米（8英寸）碳化物材料。在中国，天津（Tianyue Xianjin）两年前实现了8英寸碳化物硅晶片的批量生产。该公司是世界上为数不多的公司之一，可以发送大量8英寸碳化物碳化物的底物，并且是世界上第一家发射12英寸硅碳化物底物的公司。 A股票隔层碳化物行业中的几家公司还揭示了其在其交互式平台上的新进展，该公司在应用碳化硅在高级容器和其他相关问题中的应用方面取得了新的进展。田元对互动轻松的投资者做出了回应，并说他正在关注相关信息。目前，由SIC代表的第三代半导体已成功地应用了终端场，目前正在经历快速发展。该公司使用碳化硅半分离nductor材料。形成的技术优势使公司处于碳化硅半导体行业发展的最前沿。 Hesheng的硅产业表明，该公司的6英寸硅碳化物底物完全以质量生产，玻璃产量超过95％，外延产量超过98％。小型生产8英寸 - 碳化硅底物的生产已经开始，并且碳化物12英寸硅碳化物的研究与开发没有问题，目前正处于正常状态。 Jingsheng Electrical和Mechanical表示，该公司的碳化硅基材材料大规模实现了6-8英寸碳化物底物的批量生产和销售。质量生产的碳化物基板的基本参数指标已经达到了该行业的第一类，在12英寸的导电碳化物晶体方面取得了增长技术的进步，并成功地种植了12英寸英寸的碳硅硅晶体。在团队舞台上，Saiteng Co.，Ltd。透露，该公司的碳化硅缺陷检测装置正在开发中。 Jiejia Weichuang说，该公司的半导体清洁设备正在不断收到新订单，并且高硅碳化物加热工艺设备也被发送给该行业的主要客户。该公司继续开发与半导体和半导体有关的其他设备。除了芯片包装方案外，硅碳化物的应用方案也接近到达。例如，Lante光学元件表明，高折射率材料通常可以在选择材料介质的光波指南中观看角度的巨大优势。 AR工业链正在研究高折叠玻璃，碳化硅和其他结晶材料的生存能力。该公司已经积极组织了各种材料的晶状工艺。目前，硅车BIDE和其他玻璃晶圆仍处于展示式交付阶段。 官方NINA Finance帐户 TRAN24-最新信息和财务视频的小时流离失所的蓝调，以及扫描QR码跟随更多粉丝（Sinafinance）